【SSD/NAND　基礎講座】

34. Data Retention（データリテンション）2/3

Data Retention（データリテンション）

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■Data Retention（データリテンション）2/3

データ・リテンションエラーはなぜ起きる

データの消去回数（PE cycle）が増えてくると酸化膜を電荷が通過し、酸化膜がダメージを受けて電荷が抜けやすくなる。
また、高温状態にさらされることで　Data Retention の発生が増える。

・NANDフラッシュメモリは一度Writeしたものでも長い時間が経過すると電荷が抜けてビット化けする。

・USBメモリ/SDカードなどは1年間放っておくと中のデータが消える場合がある。この期間も一般的にErase回数に応じて加速度的に悪化する。この「Writeしてからどのくらいの期間が過ぎてもデータを正しくReadできるか」ということを
Retention(リテンション)と呼ぶ。

・Retentionの対策のため、一般的に「時々関係ないところも含めてNANDフラッシュメモリの全体をReadする」ようソフトを組む。 ReadしたときにECC訂正したビット数から危険度を判断し、場合によっては該当ブロックの書き直し処理をするが、あまりReadしすぎると「Disturb」の問題を進行させてしまう。

・Retentionは電源入れずに放置していても進行する。

・温度によっても変わり、一般的に高温と氷点下の低温で進行が速く進む。

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