”NANDフラッシュ SLC　MLC　TLC　QLC の違い”

Tips.NANDフラッシュ SLC　MLC　TLC　QLC の違い

NANDフラッシュ
SLC　MLC　TLC　QLC の違い

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○NANDフラッシュの情報記録 ■こうして情報を記録する NANDフラッシュメモリにデータを記録するには、セルに電荷を溜めることにより行います。 図のようにFGに電荷があるか、ないかの状態の違いで記録します。 １つのセルに1ビット（１もしくは０）の記録方式をSLC（Single Level Cell) といいます。 プログラム開始 プログラム完了 ■SLC、MLC、TLC、QLC ・ＳＬＣ　： Ｓｉｎｇｌｅ　Ｌｅｖｅｌ　Ｃｅｌｌ 1セルの電圧を 2分割 NANDフラッシュメモリの書き換え回数は最も多く数万回。 ・ＭＬＣ ： Ｍｕｌｔｉ　 Ｌｅｖｅｌ　Ｃｅｌｌ 1セルの電圧を 4分割 書き換え回数は3,000回、3D-TLCの量産化で品薄が懸念。 ・ＴＬＣ ： Ｔｒｉｐｌｅ　 Ｌｅｖｅｌ　Ｃｅｌｌ 1セルの電圧を 8分割 3D-TLCの主流。プロセス、制御プログラムの工夫で、 書き換え回数3,000回（Industrial版）を目指す。 ・ＱＬＣ ： Ｑｕａｄ　 Ｌｅｖｅｌ　Ｃｅｌｌ 1セルの電圧を16分割 一部ではすでにリリースされている。

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